재료의 산화實驗
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작성일 22-11-02 05:44
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재료의산화實驗
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재료의 산화실험에 관해 조사하고 정리한 리포트 입니다. 습식 및 건식산화 방법으로 산화막 성장. 성장률 상수, 성장률 곡선을 구하며 열산화 방법(Wet / Dry)에 따른 산화막 두께, 그리고 각 방법에 대해 웨이퍼…(省略)
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1. 반도체공정에서 산화experiment(실험)을 하는 이유??
2. 반도체 공정에서 Si 기반 어느부분에서 산화를 쓰는가??
산화막을 형성하는 방법에는 두 가지가 있는데 건식산화와 습식산화가 있다 먼저 건식산화는 Si wafer위에 Dry Oxidation (건식 산화) : Si (solid) + O2 (gas) → SiO2 (solid)에 의해서 산화막이 형성되는데 물을 증발시켜 수증기를 이용해 산화막을 성장시키는 방법으로 성장속도가 빨라 두꺼운 산화막 성장 등에 사용된다된다. 습식산화는 습식산화 : Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 이고 단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 산화막을 만들어 쓰게 되며 얇지만 빈틈없이 치밀한 산화막 (게이트 처럼)을 필요로 하면 건식 산화막을 만들어 쓴다.
재료의 산화實驗
재료의 산화實驗에 관해 조사하고 정리(arrangement)한 리포트 입니다.
